פרס ג'ייקובס הוענק לסטודנט לואי דניאל על פרסום המאמר המצטיין בתחום ההנדסה בטכניון לשנת 2020.

ברכות לדוקטורנט לואי דאניאל מהפקולטה להנדסת חשמל ע”ש ויטירבי בטכניון על הזכייה בפרס ג’ייקובס על פרסום מאמר מצטיין בתחום ההנדסה לשנת 2020.

פרס ג’ייקובס לפרסום מאמר מצטיין מוענק אחת לשנה לסטודנט בטכניון שמאמר מצטיין שלו התקבל לפרסום בעיתון מדעי בעל מוניטין רב בשנה החולפת.

לאחרונה לואי פרסם מאמר פורץ דרך בכתב העת המדעי Nature Electronics , שכותרתו “Two-Terminal Floating-Gate Transistors with a Low-Power Memristive Operation Mode for Analogue Neuromorphic Computing,.

את המחקר הובילו הדוקטורנט לואי דאניאל ופרופ’ שחר קוטינסקי מהפקולטה להנדסת חשמל ע”ש ויטרבי בטכניון, תוך שיתוף פעולה עם פרופ’ יעקב רויזין וד”ר יבגני פיחאי מחברת טאואר ג’אז ופרופ’ ראמז דניאל מהפקולטה להנדסה ביו-רפואית בטכניון.

המחקר קיבל תשומת לב רבה בקהילה המדעית ובתעשייה בשל הוכחת היתכנות טכנולוגית.

לואי דאניאל השלים תואר ראשון בטכניון, ובשנים 2016-2013 עבד במעבדות המחקר של IBM בחיפה.

כיום הוא עושה את הדוקטורט (במסלול ישיר) בהנחיית פרופ’ קוטינסקי. הוא זכה בפרס הרשל ריץ’ לחדשנות ויזמות, בפרס אנדרו וארנה פינצ’י ויטרבי לתלמידי תארים מתקדמים ובמלגת ות”ת לדוקטורנטים מצטיינים בני החברה הערבית.

 

צילום: רמי שלוש, דוברות הטכניון